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原子尺度下纳米器件可靠性的动态表征

创建于2021年09月10日 星期五作者 : 科研办 浏览量 :

主讲人:吴幸,华东师范大学教授
时  间:2021年9月16日 10:30
地  点:物电学院A栋219
联系人:廖蕾

 

 

讲座摘要:随着低维器件尺寸的不断发展,界面缺陷对器件的可靠性影响越来越显著。然而,目前大多数测量和表征手段是静态的。目前,需要一种技术和方法,可以原位地、动态地观察缺陷在电场作用下的演化过程,揭示影响器件可靠性的关键因素。本报告将介绍我们近期在原子尺度下器件纳米结构与性能的动态调控机制研究的进展。

 

 

 

主讲人简介:吴幸,华东师范大学通信与电子工程学院教授、博导。一直从事微电子学专业,2008年获得西安交通大学学士学位,2012年获得新加坡南洋理工大学博士学位。在Nature Communications、Advanced Materials、IEEE Electronic Device Letters等发表SCI论文140余篇。获得教育部青年长江学者、中国科协托举人才工程、曙光学者、启明星等称号。