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二维磁性材料的计算设计

创建于2025年12月19日 星期五作者 : 李萍 浏览量 :

主讲人：邹小龙，清华大学深圳国际研究生院副教授

时   间：2025年12月23日10：00

地   点：物电学院A栋334

联系人：唐黎明



讲座摘要：本次讲座将介绍我们在二维磁性材料理论设计方面的进展。重点讨论二维阻挫体系在斯格明子和反斯格明子的可控分离及携带特定轨道角动量（OAM）的磁子的可控产生及应用方面的工作。我们一方面提出利用Kitaev作用实现拓扑磁性结构的分离，并设计了斯格明子分离器及非门逻辑单元；另一方面提出利用高Q斯格明子产生携带OAM的磁子。其OAM量子数和磁结构的拓扑荷相对应，并可以通过调节磁各向异性和温度来调控。在反铁磁体系中，我们观察到意料之外的斯格明子霍尔效应，并首次发现自旋轨道矩振荡带来动力学的非线性修正。此外，我们还揭示了磁子OAM诱导的新奇物理现象，磁子和斯格明子非线性散射后OAM的变化导致不对称的磁子频率梳。基于此，我们提出磁子高频和低频滤波模型。



主讲人简介：邹小龙博士于2006年和2011年分别获得清华大学物理学学士和凝聚态物理学博士学位。2011-2016年在美国莱斯大学从事博士后研究。2016年加入清华大学深圳国际研究生院工作。研究方向集中于低维材料的生长机制、磁学和光学性质调控和器件设计的理论模拟。迄今在Chemical Review, Nature Materials, Nature Communications等国际期刊上发表学术论文130余篇，SCI引用19000次，H因子63，入选2023-2025年科睿唯安“高被引学者”。以唯一作者撰写专著《低维体系的计算材料学》（共55万字），2019年由科学出版社出版。


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2025-12-19

作者：邹小龙

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主讲人：邹小龙，清华大学深圳国际研究生院副教授

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讲座摘要：本次讲座将介绍我们在二维磁性材料理论设计方面的进展。重点讨论二维阻挫体系在斯格明子和反斯格明子的可控分离及携带特定轨道角动量（OAM）的磁子的可控产生及应用方面的工作。我们一方面提出利用Kitaev作用实现拓扑磁性结构的分离，并设计了斯格明子分离器及非门逻辑单元；另一方面提出利用高Q斯格明子产生携带OAM的磁子。其OAM量子数和磁结构的拓扑荷相对应，并可以通过调节磁各向异性和温度来调控。在反铁磁体系中，我们观察到意料之外的斯格明子霍尔效应，并首次发现自旋轨道矩振荡带来动力学的非线性修正。此外，我们还揭示了磁子OAM诱导的新奇物理现象，磁子和斯格明子非线性散射后OAM的变化导致不对称的磁子频率梳。基于此，我们提出磁子高频和低频滤波模型。



主讲人简介：邹小龙博士于2006年和2011年分别获得清华大学物理学学士和凝聚态物理学博士学位。2011-2016年在美国莱斯大学从事博士后研究。2016年加入清华大学深圳国际研究生院工作。研究方向集中于低维材料的生长机制、磁学和光学性质调控和器件设计的理论模拟。迄今在Chemical Review, Nature Materials, Nature Communications等国际期刊上发表学术论文130余篇，SCI引用19000次，H因子63，入选2023-2025年科睿唯安“高被引学者”。以唯一作者撰写专著《低维体系的计算材料学》（共55万字），2019年由科学出版社出版。


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