氧化物类脑器件物理-湖南大学物理与微电子科学学院

氧化物类脑器件物理

创建于2025年11月18日星期二作者 : 李萍浏览量 :

主讲人：葛琛，中科院物理所研究员

时间：2025年11月18日20:00

地点：物电学院A栋334

讲座摘要：大数据和物联网的快速发展对计算系统的信息处理能力提出了更高的要求。受人脑启发的新型系统期望能够将感知、存储、计算功能融于一体，从而大幅度提升整体效率，智能计算相关研究近年来备受关注，已成为当前的研究热点之一。氧化物材料因为电荷、轨道、晶格、自旋之间的耦合效应，具有一系列丰富的物理性质，蕴含着塑造人工类脑功能和器件的可能。本讲座将以高质量的氧化物外延薄膜材料为研究载体，面向光电智能计算需求介绍我们近期在这一方向上的进展。研究了紫外光致二氧化钒非易失相变新现象，基于此现象提出了感知、存储、计算融合的智能光电器件，演示了图像识别等应用；探索了多种氧化物人工微结构的光电效应，揭示了光电协同调控的新机理，实现了物理存储池计算和突触功能的可重构；通过界面工程实现了氧化物微结构人工调制，电场驱动的界面原子重构诱导了光电功能重构，实现了光电传感内计算；最后简要讨论目前受到业界广泛关注的铪基铁电薄膜相稳定机理，我们使用激光法首次制备出了高质量自支撑铪基铁电薄膜，研究了反常铁电物理。

主讲人简介：葛琛，中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。国家重点研发计划首席科学家，国家优秀青年科学基金获得者，中国科学院青年创新促进会优秀会员。致力于光与氧化物人工微结构相互作用研究，近几年来特别针对智能光电物理研究中面临的关键物理问题开展了系统工作。在包括Nat. Mater.、Nat. Commun.、Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Phys. Rev. Lett.等学术期刊上发表论文100余篇，相关研究工作被Nature Materials、Nature Electronics期刊亮点报道，入选了“中国芯片科学十大进展”。