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正电子谱学技术及其应用研究

创建于2025年03月13日 星期四作者 : 李萍 浏览量 :

主讲人:曹兴忠,中科院高能物理研究所研究员

时    间:2025年3月16日10:00

地    点:物电学院A316

联系人:戴凌云 张书磊

腾讯会议:472 488 740




讲座摘要:正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息,在金属、高分子、粉末等材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面独具特色,对研究材料的微观结构、优化材料的工艺和性能等方面有着指导作用。




主讲人简介:曹兴忠,中国科学院高能物理研究所研究员。研究方向包含正电子谱学技术、微观结构缺陷、辐照损伤效应研究等。发表300余篇学术论文,被引用上千次,H因子67,2023/2024高被引学者,授权30余项发明专利;分别于2005年、2015年两次获得北京市科学技术一等奖;主持或参与了相关研究课题 10 余项:科学院先导,国家自然科学基金重点、面上项目等。目前是核物理学会正电子谱学专业委员会秘书长、核学会辐照效应分会理事。


正电子谱学技术及其应用研究

2025-03-13

作者:曹兴忠

浏览量:

主讲人:曹兴忠,中科院高能物理研究所研究员

时    间:2025年3月16日10:00

地    点:物电学院A316

联系人:戴凌云 张书磊

腾讯会议:472 488 740




讲座摘要:正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息,在金属、高分子、粉末等材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面独具特色,对研究材料的微观结构、优化材料的工艺和性能等方面有着指导作用。




主讲人简介:曹兴忠,中国科学院高能物理研究所研究员。研究方向包含正电子谱学技术、微观结构缺陷、辐照损伤效应研究等。发表300余篇学术论文,被引用上千次,H因子67,2023/2024高被引学者,授权30余项发明专利;分别于2005年、2015年两次获得北京市科学技术一等奖;主持或参与了相关研究课题 10 余项:科学院先导,国家自然科学基金重点、面上项目等。目前是核物理学会正电子谱学专业委员会秘书长、核学会辐照效应分会理事。


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