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后摩尔时代的半导体缺陷与器件物理

创建于2024年12月02日 星期一作者 : 李萍 浏览量 :

主讲人：邓惠雄，中国科学院半导体研究所研究员

时    间：2024年12月05日 10:00

地    点：物电学院A栋335

联系人：唐黎明



讲座摘要：半导体物理是包括集成电路在内的所有半导体技术的基础与源头。随着集成电路技术发展进入后摩尔时代，晶体管的特征尺寸逼近物理极限，当前集成电路技术面临着诸多基础物理问题的挑战。在本报告中，我们将围绕后摩尔时代的半导体缺陷与器件物理中存在的关键问题展开讨论，主要包括：先进制程中的低维结构半导体、宽禁带半导体中的掺杂与缺陷物理，热力学非平衡掺杂与缺陷物理，器件中的缺陷物理与可靠性，铁电晶体管中铁电物性的根源与调控等，期望这些基础问题的探讨与解决能为后摩尔时代集成电路技术中的新材料、新结构、新原理器件的应用与发展提供支撑。


主讲人简介：邓惠雄，博士，中科院半导体所研究员，国科大岗位教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金、优秀青年科学基金获得者，中国科学院青促会优秀会员。2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初，在美国再生能源国家实验室 (NREL) 从事博士后研究，随后回到中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室工作至今。长期从事半导体物理、半导体缺陷与器件物理、半导体材料与器件的物性探究与设计等领域的研究工作。迄今已经在Nature、Science、Nature Energy、Nature Comm.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B等期刊上发表SCI论文110多篇。Email:hxdeng@semi.ac.cn.


  • 中国 · 湖南省 · 长沙市 · 岳麓区湖南大学南校区 , 410082

  • 行政办公室：0731-88822332 学生工作办：0731-88821986 教学科研办：0731-88822627

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后摩尔时代的半导体缺陷与器件物理

2024-12-02

作者：邓惠雄

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主讲人：邓惠雄，中国科学院半导体研究所研究员

时    间：2024年12月05日 10:00

地    点：物电学院A栋335

联系人：唐黎明



讲座摘要：半导体物理是包括集成电路在内的所有半导体技术的基础与源头。随着集成电路技术发展进入后摩尔时代，晶体管的特征尺寸逼近物理极限，当前集成电路技术面临着诸多基础物理问题的挑战。在本报告中，我们将围绕后摩尔时代的半导体缺陷与器件物理中存在的关键问题展开讨论，主要包括：先进制程中的低维结构半导体、宽禁带半导体中的掺杂与缺陷物理，热力学非平衡掺杂与缺陷物理，器件中的缺陷物理与可靠性，铁电晶体管中铁电物性的根源与调控等，期望这些基础问题的探讨与解决能为后摩尔时代集成电路技术中的新材料、新结构、新原理器件的应用与发展提供支撑。


主讲人简介：邓惠雄，博士，中科院半导体所研究员，国科大岗位教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金、优秀青年科学基金获得者，中国科学院青促会优秀会员。2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初，在美国再生能源国家实验室 (NREL) 从事博士后研究，随后回到中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室工作至今。长期从事半导体物理、半导体缺陷与器件物理、半导体材料与器件的物性探究与设计等领域的研究工作。迄今已经在Nature、Science、Nature Energy、Nature Comm.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B等期刊上发表SCI论文110多篇。Email:hxdeng@semi.ac.cn.


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