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窄带隙二维材料与器件

创建于2020年05月26日 星期二作者 : 科研办 浏览量 :

主讲人：张凯，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

时    间：2020年5月29日10:00-11：30

地  点：腾讯会议，ID 927 388 405

联系人：廖蕾
 

讲座摘要：窄带隙半导体及其带间跃迁、子带级联器件构筑推动了红外、太赫兹技术的发展，在国防安全、生物医疗、环境、通信等领域发挥着重要的作用。伴随着器件小型化、低功耗、CMOS兼容集成的发展趋势以及宽光谱、室温工作等性能突破的需要，该领域主流技术瓶颈越来越突出，主要体现在器件的复杂结构、外延成本、与硅工艺的兼容性等局限。二维材料的兴起，尤其是窄带隙二维材料的研究为高性能红外、太赫兹光电子器件的发展带来了契机。近些年，我们从材料设计、能带工程、光场调控等方面着手，探究了以黑磷为典型代表的新型窄带隙二维半导体材料生长及其红外和太赫兹光电器件应用，获得的进展包括：（1）解决了黑磷在介质基底上的成核生长问题，实现了硅等衬底上高质量二维黑磷晶体薄膜的直接生长，并发展了原子取代和场效应诱导等掺杂路径，获得黑磷能带及输运性能的可控调节[1-5]；（2）黑磷等窄带隙二维半导体于红外、太赫兹室温宽光谱探测器、激光器的应用探索与性能突破

 

主讲人简介：张凯，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、博士生导师。2011年获香港理工大学博士学位，历经美国麻省理工学院、新加坡国立大学的科研工作，2015年入职中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。长期致力于窄带隙二维材料与器件的研究，研究兴趣集中在黑磷等窄带隙二维材料的可控生长及其红外、太赫兹激光与探测器件的应用突破。迄今在Nature Communications、Advanced Materials等学术期刊发表论文70余篇，论文他引1500余次；申请国际PCT和中国发明专利10余项；近年来在国际学术会议做特邀报告或分会主席30余次，包括第608次香山科技会议主题报告（2017）、第五届二维材料国际会议大会副主席（2019）。现担任中国电子学会半导体科技青年专委会副秘书长、IOP Publishing中国区顾问编委、JPhys Materials编委等。

 

  • 中国 · 湖南省 · 长沙市 · 岳麓区湖南大学南校区 , 410082

  • 行政办公室：0731-88822332 学生工作办：0731-88821986 教学科研办：0731-88822627

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窄带隙二维材料与器件

2020-05-26

作者：张凯

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主讲人：张凯，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

时    间：2020年5月29日10:00-11：30

地  点：腾讯会议，ID 927 388 405

联系人：廖蕾
 

讲座摘要：窄带隙半导体及其带间跃迁、子带级联器件构筑推动了红外、太赫兹技术的发展，在国防安全、生物医疗、环境、通信等领域发挥着重要的作用。伴随着器件小型化、低功耗、CMOS兼容集成的发展趋势以及宽光谱、室温工作等性能突破的需要，该领域主流技术瓶颈越来越突出，主要体现在器件的复杂结构、外延成本、与硅工艺的兼容性等局限。二维材料的兴起，尤其是窄带隙二维材料的研究为高性能红外、太赫兹光电子器件的发展带来了契机。近些年，我们从材料设计、能带工程、光场调控等方面着手，探究了以黑磷为典型代表的新型窄带隙二维半导体材料生长及其红外和太赫兹光电器件应用，获得的进展包括：（1）解决了黑磷在介质基底上的成核生长问题，实现了硅等衬底上高质量二维黑磷晶体薄膜的直接生长，并发展了原子取代和场效应诱导等掺杂路径，获得黑磷能带及输运性能的可控调节[1-5]；（2）黑磷等窄带隙二维半导体于红外、太赫兹室温宽光谱探测器、激光器的应用探索与性能突破

 

主讲人简介：张凯，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、博士生导师。2011年获香港理工大学博士学位，历经美国麻省理工学院、新加坡国立大学的科研工作，2015年入职中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。长期致力于窄带隙二维材料与器件的研究，研究兴趣集中在黑磷等窄带隙二维材料的可控生长及其红外、太赫兹激光与探测器件的应用突破。迄今在Nature Communications、Advanced Materials等学术期刊发表论文70余篇，论文他引1500余次；申请国际PCT和中国发明专利10余项；近年来在国际学术会议做特邀报告或分会主席30余次，包括第608次香山科技会议主题报告（2017）、第五届二维材料国际会议大会副主席（2019）。现担任中国电子学会半导体科技青年专委会副秘书长、IOP Publishing中国区顾问编委、JPhys Materials编委等。

 

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