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二维半导体电子输运特性的界面调控

创建于2022年05月23日 星期一作者 : 科研办 浏览量 :

主讲人：孙健，中南大学特聘教授

时  间：2022年5月25日 15:00

地  点：物电学院A栋112

联系人：廖蕾


讲座摘要：随着摩尔定律达到物理极限，传统硅基CMOS晶体管由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，正面临发展瓶颈。二维材料由于其原子层级厚度使得栅极对其沟道的调控大大加强，因而可以有效克服短沟道效应。本次报告将介绍二维半导体材料带给我们的机遇并总结基于二维半导体的电子器件开发面临的技术问题，主要介绍我们课题组在近期在二维半导体中载流子输运特性的界面调控性质的相关研究进展，主要包括面向新型电子器件构筑的表面电荷转移掺杂调控和铁电范德华异质界面的调控。


主讲人简介：孙健，中南大学物理与电子学院特聘教授，日本国立理化学研究所（RIKEN）访问科学家，IEEE高级会员。2008年上海交通大学学士。2013年沙特阿卜杜拉国王科技大学电子工程博士。2013-2018在日本北陆先端科技大学，RIKEN从事研究工作。研究专注于新原理电子信息功能原型器件的研究工作，涉及微纳电子学、器件物理等。在Science Advances，Nano Letters，APL，ACS Nano，Advanced Materials, Advanced Functional Materials, IEEE EDL等国际SCI期刊以通讯作者发表通学术论文40余篇。担任IEEE Sensors、Intermag等国际知名会议学术委员会成员。


  • 中国 · 湖南省 · 长沙市 · 岳麓区湖南大学南校区 , 410082

  • 行政办公室：0731-88822332 学生工作办：0731-88821986 教学科研办：0731-88822627

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二维半导体电子输运特性的界面调控

2022-05-23

作者：孙健

浏览量：

主讲人：孙健，中南大学特聘教授

时  间：2022年5月25日 15:00

地  点：物电学院A栋112

联系人：廖蕾


讲座摘要：随着摩尔定律达到物理极限，传统硅基CMOS晶体管由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，正面临发展瓶颈。二维材料由于其原子层级厚度使得栅极对其沟道的调控大大加强，因而可以有效克服短沟道效应。本次报告将介绍二维半导体材料带给我们的机遇并总结基于二维半导体的电子器件开发面临的技术问题，主要介绍我们课题组在近期在二维半导体中载流子输运特性的界面调控性质的相关研究进展，主要包括面向新型电子器件构筑的表面电荷转移掺杂调控和铁电范德华异质界面的调控。


主讲人简介：孙健，中南大学物理与电子学院特聘教授，日本国立理化学研究所（RIKEN）访问科学家，IEEE高级会员。2008年上海交通大学学士。2013年沙特阿卜杜拉国王科技大学电子工程博士。2013-2018在日本北陆先端科技大学，RIKEN从事研究工作。研究专注于新原理电子信息功能原型器件的研究工作，涉及微纳电子学、器件物理等。在Science Advances，Nano Letters，APL，ACS Nano，Advanced Materials, Advanced Functional Materials, IEEE EDL等国际SCI期刊以通讯作者发表通学术论文40余篇。担任IEEE Sensors、Intermag等国际知名会议学术委员会成员。


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