报告人:徐耿钊 中科院苏州纳米所 研究员
联系人:潘安练教授
报告时间:2017.3.10 上午10:00 (星期五)
报告地点:工程大楼 440
报告人简介
徐博士2000年毕业于北京大学物理系,获得理学学士学位,2006年获北京大学物理学院博士学位,师从朱星教授。2006年1月至2010年4月先后在法国里昂中央理工大学和英国加迪夫大学从事博士后研究工作。2010年5月加盟中科院苏州纳米所,参与负责测试分析平台管理和新型设备研发。从研究生期间至今,一直从事扫描探针显微镜相关研发工作,及其在半导体光电性质、量子点和有机分子等方面研究中的应用,是国内顶级的扫描探针显微学专家。
主要内容
材料的表界面及缺陷对于器件性能有着至关重要的作用,现有的光学或电学宏观手段往往缺乏高的空间分辨和对多物理场耦合过程的测试能力。通过将光源和光学探测系统、电化学测量装置等与扫描探针显微镜相集成,研制的扫描近场光电多功能探针系统,在获得高分辨表面形貌像的同时还可同位测量局域光谱、光电压/光电流等光电性质。本报告介绍了该系统的主要架构和功能,和在石墨烯/氮化镓界面接触电学性质、氮化镓表面光电压等研究中的应用。通过同位的表面结构、拉曼光谱和局域导电特性的综合表征和分析,发现了石墨烯电极能够自适应地降低与半导体的接触势垒以及单个褶皱形成的局域导电通道。在紫外波段扫描光电压测试中捕捉到了单个位错所引起的局域表面光电压谱,并定量估算了少子扩散长度和表面复合速率等载流子动力学性质。在此基础上,针对超宽禁带半导体和二维料研究的需求,进一步开展了深紫外扫描近场光电探针系统的研发。