30-Capacitance extraction method for a gate-induced quantum dot in silicon nanowire metal–oxide–semiconductor field-effect transistors 徐雁冰-杨红官-湖南大学物理与微电子科学学院

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30-Capacitance extraction method for a gate-induced quantum dot in silicon nanowire metal–oxide–semiconductor field-effect transistors 徐雁冰-杨红官

创建于2018年10月11日星期四作者 : 邓欢浏览量 :

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30-Capacitance extraction method for a gate-induced quantum dot in silicon nanowire metal–oxide–semiconductor field-effect transistors 徐雁冰-杨红官

2018-10-11

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