主讲人:宫勇吉,北京航空航天大学教授
时 间:2025年4月27日 9:30
地 点:长沙半导体技术与应用创新研究院一楼报告厅
联系人:邹旭明
讲座摘要:二维材料在下一代的电子器件、量子器件及电化学器件中都有非常广阔的应用前景。但是,其可控合成与精准性质调控仍然是限制其应用的关键。报告人围绕二维材料的界面工程,在化学合成、界面结构设计、界面物理原理、器件界面调控等方面开展工作。首先提出了熔体辅助合成超薄二维材料的普适性新方法,实现了热力学亚稳态及多组元复杂结构二维材料的动力学可控合成,得到了100余种高质量二维材料;提出了利用准平衡态熔体辅助法合成二维材料晶圆级单晶的新策略,通过插层、异质界面设计等实现了二维界面的精准构筑,发展了利用界面调控二维材料铁电、铁磁性质的新策略,开发了铁电极化诱导界面载流子实现非易失性多态存储和计算的新方法,获得了宽回滞窗口、多存储状态、高稳定的存算一体器件;提出了基于界面电子态调控离子溶剂化结构与离子排布的新策略,实现了超快离子输运行为,构筑了超低功耗、超高稳定性的离子型存算一体器件和超高比能锂金属二次电池。
主讲人简介:宫勇吉,北京航空航天大学材料科学与工程学院教授、博士生导师、国家级青年人才,主要研究方向为二维材料的合成、规模化及其在新能源、信息器件方面的应用,包括锂金属电池、半导体器件等。2011年毕业于北京大学化学与分子工程学院,获得本科学士学位。2015在美国莱斯大学获得博士学位;2016-2017在美国斯坦福大学从事博士后研究。在材料学相关领域以通讯作者或第一作者发表顶级期刊80余篇,包括Nature Synthesis, Nature Materials, Nature Communications, Advanced Materials等。引用次数29000余次,2019-2024连续被评为科睿唯安全球高被引科学家。目前已申请专利50余项,已授权专利30余项。担任《Tungsten》、《Rare Metals》、《Materials Today》等期刊的编委。