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低维材料激子特性的动力学调控

创建于2025年02月19日 星期三作者 : 李萍 浏览量 :


主讲人:余俊宏,中国工程物理研究院副研究员

时    间:2025年2月21日10:00

地    点:物电学院A栋414

联系人:汤东亮



讲座摘要:低维半导体材料中的激子(电子和空穴的中性束缚对)可以与光子主动转化又兼具超短的常温德布罗意波长,激子晶体管相比传统器件有望实现更低的能耗、更少的发热和更快的处理速度。然而激子的复合寿命极短且迁移率很小,如何有效操控激子特性实现信息的逻辑处理成为了激子器件发展的关键瓶颈问题。传统的激子特性操控方法主要是基于稳态的“量子限域效应”、“介电屏蔽效应”和“电场/应力引发的斯塔克效应”。本报告将围绕寻求激子操控的动力学新方案展开,致力于通过超快光谱学技术研究低维半导体材料中激子增益/输运/耦合过程的动力学机理,探索突破现有稳态操控激子特性框架的新方法。



主讲人简介:余俊宏,中国工程物理研究院副研究员,本科毕业于哈尔滨工业大学、博士毕业于新加坡南洋理工大学,曾获得国家优秀自费留学生奖学金、军科委海外人才计划和军队科技进步三等奖(排名二)等荣誉。专注于超快光谱实验技术以及功能材料中的超快准粒子动力学研究。作为第一作者在Sci. Adv., Nat. Commun.,Light Sci. Appl., MATTER, Adv. Mater.,  Nano Lett., Applied Physics Rev.等SCI期刊上发表研究成果30余篇,担任《The Innovation》和《中国激光》杂志的青年编委会成员。


低维材料激子特性的动力学调控

2025-02-19

作者:余俊宏

浏览量:


主讲人:余俊宏,中国工程物理研究院副研究员

时    间:2025年2月21日10:00

地    点:物电学院A栋414

联系人:汤东亮



讲座摘要:低维半导体材料中的激子(电子和空穴的中性束缚对)可以与光子主动转化又兼具超短的常温德布罗意波长,激子晶体管相比传统器件有望实现更低的能耗、更少的发热和更快的处理速度。然而激子的复合寿命极短且迁移率很小,如何有效操控激子特性实现信息的逻辑处理成为了激子器件发展的关键瓶颈问题。传统的激子特性操控方法主要是基于稳态的“量子限域效应”、“介电屏蔽效应”和“电场/应力引发的斯塔克效应”。本报告将围绕寻求激子操控的动力学新方案展开,致力于通过超快光谱学技术研究低维半导体材料中激子增益/输运/耦合过程的动力学机理,探索突破现有稳态操控激子特性框架的新方法。



主讲人简介:余俊宏,中国工程物理研究院副研究员,本科毕业于哈尔滨工业大学、博士毕业于新加坡南洋理工大学,曾获得国家优秀自费留学生奖学金、军科委海外人才计划和军队科技进步三等奖(排名二)等荣誉。专注于超快光谱实验技术以及功能材料中的超快准粒子动力学研究。作为第一作者在Sci. Adv., Nat. Commun.,Light Sci. Appl., MATTER, Adv. Mater.,  Nano Lett., Applied Physics Rev.等SCI期刊上发表研究成果30余篇,担任《The Innovation》和《中国激光》杂志的青年编委会成员。


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