主讲人:王煜,中南大学副教授
时 间:2024年1月11日10:00
地 点:物电学院A栋316
联系人:王振宇
讲座摘要:斯格明子是磁性材料中纳米尺寸的局部拓扑畴结构。由于其对外部环境(温度,磁场,应变场,自旋波等)具有优异的动力学响应,在磁存储器与逻辑门等量子器件中有着巨大应用潜力。因此,研究斯格明子的多场耦合动力学特性,提出运动方程是至关重要的。然而,由于描述磁化动力学的经典Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG)方程缺乏温度效应,目前对于斯格明子动力学温度效应的理论研究仍然短缺。本报告将温度相关的朗道能引入修正的LLG方程,打破了限制并系统地研究了斯格明子动力学的热效应:从单个斯格明子的热运动,到两个斯格明子相互作用的温度效应,最后到动态斯格明子产生自旋波在临界温度附近的特异现象。本报告建立了有限温度下磁化动力学的相场模拟方法,系统探究了斯格明子的热动力学特性,并提出了相应的运动方程,为理论研究斯格明子多场耦合动力学奠定了基础,为其在量子器件中的运用提供了新思路。
主讲人简介:王煜,京都大学博士,现为中南大学特聘副教授。主要研究方向:智能材料多场耦合力学;主要研究方法:多物理场有限元计算、智能材料微结构相场模拟。近五年内,致力于智能磁性材料中拓扑结构(如斯格明子)的动力学,以及其与自旋波的耦合特性研究,相关成果已在Science Bulletin, Acta Materialia(2篇), Int. J. Mech. Sci.(2篇), Int. J. Solids Struct., Phys. Rev. B(2篇), Phys. Rev. Applied(2篇), ACS Nano,固体力学学报等期刊上发表。担任Acta Materialia, npj computational materials, Nano Letters, Phys. Rev. B等国际期刊审稿人。