Phase Controlled Growth and Ambipolar Transistors of MoTe2-湖南大学物理与微电子科学学院

Phase Controlled Growth and Ambipolar Transistors of MoTe2

创建于2018年06月27日星期三作者 : 科研办浏览量 :

主讲人：王广，国防科技大学
时间：2018年6月29日10:00
地点：物电学院A栋219
联系人：廖蕾

讲座摘要：过渡金属硫族化合物是具有能隙的新型二维半导体材料，能制成低功耗的场效应晶体管和高开关比的数字逻辑电子器件。近年来过渡金属硫族化合物碲化钼（MoTe2）引起了人们的广泛关注。除潜在的器件应用价值外，碲化钼还表现出新奇的量子特性，例如其Td相材料被理论预言并实验证实为第二类外尔半金属（Type-II Weyl Semimetal），单层1T'相中可能存在量子自旋霍尔效应（Quantum Spin Hall Effects）等。我们通过超高真空分子束外延方法，精确控制生长温度、束流比和退火条件实现相的控制和转变，可控制备出高质量2H相和1T'相碲化钼的面内异相同质结，为相变可调电子器件研究奠定了基础。在国际上首次可控生长出半金属性Mo6Te6纳米线，利用纳米线和薄膜异质结界面的电荷传输，可以有效调控二维材料的电子能带性质，对于构建未来新型一维/二维异质结器件和高速信息器件的互联集成具有重要的意义。另外，我们利用机械剥离法制备的少层碲化钼薄膜，在可控逐层氧化、相变和双极性晶体管等方面也做了一些探索。

主讲人简介：王广，男，博士，2005年毕业于南京大学物理系获学士学位，2010年毕业于清华大学物理系获博士学位，现在国防科技大学物理系工作。主要从事低维量子材料及其范德瓦尔斯异质结的分子束外延生长、扫描隧道显微镜、光电子能谱、物性调控以及纳米器件的光电输运测量等研究。主持国家自然科学基金面上项目、青年基金、国家重点实验室基金、湖南省重点实验室基金等4项，作为副组长参与国防科技创新特区项目等5项，作为学术骨干参与863课题等8项。在Nature Physics, Advanced Materials, Nano Letters, Nano Research, Carbon等国际著名学术期刊发表SCI论文35篇，被引用1050余次，H-index为14。出版学术专著2部，申请发明专利6项。受邀担任国家自然科学基金委通信评议专家，担任ACS Nano, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., J. Optics, Spectrsc. Lett.等国际学术期刊审稿人。