薛春来报告：面向后摩尔时代应用的硅基Ⅳ族异质材料制备与器件 -湖南大学物理与微电子科学学院

薛春来报告：面向后摩尔时代应用的硅基Ⅳ族异质材料制备与器件

创建于2016年05月26日星期四作者 : wlxyuser1 浏览量 :

报告人：薛春来研究员（中国科学院半导体研究所）

联系人：潘安练教授

时间：5月26日11：00

地点：物理楼307

报告人简介：

中国科学院半导体研究所、光电子研发中心/集成光电子学国家重点实验室研究员。1998年9月 – 2002年7月吉林大学电子工程系电子材料与元器件专业学习，获工学学士学位；2002年9月– 2007年7月中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学专业学习，2007年获博士学位。随后在中国科学院半导体研究所光电子研发中心工作。

薛春来研究员长期致力于硅基异质材料外延及光子学器件的研究。系统开展了Si/GeSi、Si/Ge、Si/GeSn等异质结材料外延生长及相关器件的研究，在SiGe HBT器件、Si基Ge、GeSn等异质材料与器件以及Si光子学集成技术等方面取得了一系列创新性成果。作为课题负责人主持国家自然基金项目3项，973课题1项。在Optics Express、Applied Physics Letters 等国内外刊物发表文章80余篇，其中SCI、EI收录70余篇，授权专利多项。期间在2012年入选中国科学院青年创新促进会会员（全院每年300名）；2013年获得中国科学院半导体研究所“青年科技奖”（45岁以下，全所每年5名）；2015年获得中国科学院“卢嘉锡青年人才奖”。