博士研究生谢政道在《Nature Electronics》发表发表科研进展文章-湖南大学物理与微电子科学学院

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博士研究生谢政道在《Nature Electronics》发表发表科研进展文章

创建于2019年12月25日星期三作者 : 物理学院综合办浏览量 :

近日，我院博士研究生谢政道在国际知名杂志《自然·电子学》（Nature Electronics）上，在“新闻和观点”（news &views）栏目下，发表《Ultrathin dielectrics for 2D devices》，谢政道为本文的第一作者。

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本文介绍了超薄二维材料作为晶体管电介质层的最新研究进展。运用原子沉积法（ALD）将单层10-四羧酸二酐（PTCDA）用作种子层覆盖整个在二维材料表明，并用自限外延技术，构建了HfO₂/PTCDA/2D结构，其中HfO₂的厚度为1nm等效氧化物厚度（该尺寸表示SiO₂产生等效电容的厚度），实现了超薄电介质的构造。运用该技术制备的MoS2和WSe2的二维晶体管的亚阈值摆幅接近60mV/dec，工作电压低至0.8V，具有良好的电学性质。

原文链接：https://www.nature.com/articles/s41928-019-0344-9

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博士研究生谢政道在《Nature Electronics》发表发表科研进展文章

2019-12-25

作者：综合办

浏览量：

近日，我院博士研究生谢政道在国际知名杂志《自然·电子学》（Nature Electronics）上，在“新闻和观点”（news &views）栏目下，发表《Ultrathin dielectrics for 2D devices》，谢政道为本文的第一作者。

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本文介绍了超薄二维材料作为晶体管电介质层的最新研究进展。运用原子沉积法（ALD）将单层10-四羧酸二酐（PTCDA）用作种子层覆盖整个在二维材料表明，并用自限外延技术，构建了HfO₂/PTCDA/2D结构，其中HfO₂的厚度为1nm等效氧化物厚度（该尺寸表示SiO₂产生等效电容的厚度），实现了超薄电介质的构造。运用该技术制备的MoS2和WSe2的二维晶体管的亚阈值摆幅接近60mV/dec，工作电压低至0.8V，具有良好的电学性质。

原文链接：https://www.nature.com/articles/s41928-019-0344-9

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