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铁电存储器的研制与应用验证

创建于2019年11月26日 星期二作者 : 科研办 浏览量 :

主讲人:廖敏,湘潭大学教授
时  间:2019年11月28日10:00
地  点:物电学院A栋217
联系人:廖蕾

 

 

讲座摘要:由于HfO2薄膜材料与主流的CMOS集成电路工艺高度兼容,2011年HfO2基薄膜材料具有铁电性被德国科学家报道后,国际上著名的高校和研究机构迅速加入到了HfO2基铁电薄膜材料及其存储器的研究行列,力争使这一新型铁电薄膜材料真正应用于大容量晶体管型铁电存储器上。目前格罗方德公司已经制备出了基于HfO2基铁电薄膜的晶体管型铁电存储器。本报告将介绍铁电薄膜及其存储器的国外研究现状与趋势、国内与国际先进水平的差距及湘潭大学在HfO2基铁电存储器方面的最新研究进展。

 

 

主讲人简介:廖敏,湘潭大学材料科学与工程学院教授。2006年和2009年分别本科和硕士毕业于湘潭大学微电子学专业和微电子学与固体电子学专业,2012年博士毕业于东京工业大学(Tokyo Institute of Technology)物理电子系统工程专业。2012年至2015年在东京工业大学从事博士后研究工作,2015年被该校聘为助理教授。2016年归国致力于铁电存储器的研究,主持获批中央军委科技委、中央军委装备发展部、国家自然科学基金、湖南省重点研发计划等项目。在IEEE Electron Device Lett.、IEEE Trans. Electron Device、IEEE J. Electron Devices Soc.等期刊上发表论文30余篇;申请国家发明专利20余项。入选湖南省“青年百人计划”、“湖湘青年英才”、日本全球卓越中心(GCOE) 特任研究员、日本学术振兴会(JSPS)特别研究员等。