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含界面缺陷或体缺陷薄膜晶体管的器件物理

创建于2019年05月31日 星期五作者 : 科研办 浏览量 :

主讲人:刘川,中山大学教授

  间:20196315:00

  点:物电学院A栋316

联系人:胡袁源

 

讲座摘要:有机半导体和氧化物半导体的优势是很明显的,即可通过较低温度甚至是溶液法制备薄膜器件,且具有耐弯折性。但二者也有共同的缺点,即晶体结构的无序性导致大量缺陷态的出现。这导致薄膜晶体管的电荷注入和电荷传输的机制,都与共价键硅基半导体器件有显著的区别。本报告将从材料、制备、器件三方面,初步讨论缺陷态对薄膜晶体管的影响和分析,以及从材料和制备的角度,调控缺陷态、提高器件性能的一些探索。

主讲人简介:刘川,中山大学教授。在清华大学和英国剑桥大学分别获得学士和博士。曾任日本国立物质材料研究机构(NIMS)任博士后研究员,韩国东国大学助理教授。现工作于中山大学的电子与信息工程学院、光电材料与技术国家重点实验室。主要研究半导体材料和原理(有机和氧化物半导体)、薄膜晶体管制备和器件物理、印刷电子元件与电路。研究工作由国家自然科学基金、广东省应用研发专项、广东省自然科学杰出青年基金、青年珠江学者计划、科技创新青年拔尖人才等资助。任SCI期刊Semiconductor Science and Technology的编委和Journal of Society for Information Display的副编辑。