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新奇二维电子材料的计算设计

创建于2018年12月06日 星期四作者 : 科研办 浏览量 :

主讲人:赵纪军,大连理工大学教授
时  间:2018年12月11日10:00
地  点:物电学院A栋335学术报告厅
联系人:邓辉球

 

讲座摘要:在二维材料的研究中,由第一性原理出发的计算材料设计发挥着重要的作用。针对未来的微电子学、自旋电子学、拓扑材料及器件应用,考虑到实验上合成的可能性,利用表面功能化或Janus结构等物性调控手段,本课题组近年来设计一系列新奇的二维电子、磁性和拓扑材料。在报告中将介绍几类代表性体系的研究进展:1)具有高载流子迁移率的二维单层或双层半导体如18种二维氧化物、-Cu2S、GeAsSe和SnSbTe;2)作为高速Dirac Half-metal的YN2单层;3)具有接近或高于室温的居里温度二维铁磁材料如ScCl、LaBr2、CrSBr、CrSCl、CrSeBr;4)具有优异压电特性的第四主族单硫化物Janus单层结构;5)作为二维拓扑绝缘体的第三主族单硫化物单层氧化物;6)具有高居里温度的单层铁磁材料如MnB及其功能化衍生物;7)氢或卤素原子功能化的SbAs单层Janus结构作为自旋-谷耦合狄拉克半金属。

 

主讲人简介:赵纪军,1992年南京大学强化部本科毕业,1996年南京大学博士毕业。1997至2005年期间,先后在意大利国际理论物理中心、美国北卡大学、华盛顿州立大学担任博士后、研究助理教授、研究员。2006年起任大连理工大学教授,2014年起任三束材料改性教育部重点实验室主任,2017年起任物理学院院长;担任Advances in Physics X等七个国际期刊副主编或编委。主要研究领域为低维凝聚态物理、计算材料学。发表SCI论文400多篇,总引用超过14000次,H因子61,入选爱思维尔中国高被引学者。享受国务院政府特殊津贴,获国家自然科学二等奖1项、省部级科技奖5项,入选万人计划领军人才、长江学者特聘教授。