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邓惠雄报告: Diffusion of Impurities in Semiconductors: Fundamental Understanding and Design

报告人:邓惠雄(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)

报告时间:2017年9月7日下午15:00-17:00

报告地点:理工楼A430室

联系人:唐黎明

报告人简介:邓惠雄,博士,中国电子学会电子产业战略分会委员,中科院青年创新促进会会员。2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初在美国再生能源国家实验室 (NREL) 从事博士后研究。现为中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室副研究员。主要研究方向:DFT理论计算、半导体合金、半导体缺陷与掺杂、半导体材料的物性探究与设计。迄今为止在Nature Energy,Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. X,Phys. Rev. B,Appl. Phys. Lett.等期刊上发表论文30余篇。

报告摘要: Atomic diffusion technique plays a vital role in the processes of material synthesis, doping, fabrication of semiconductor devices, and so on. In this presentation, based on the Density Function Theory (DFT) first-principle calculations, I will present our recent works on understanding and design of diffusion properties of impurities in the conventional semiconductors. The examples include the distinct diffusion behaviors of Cu and Ag in covalent and ionic semiconductors (PRL,117,165901(2016)), as well as the impact of impurity diffusion in Sb2Se3 solar cell on device performance (Nat. Energy 2, 17046(2017)).