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Denis Flandre 报告:新一代电子器件及其在电子电路领域的应用

报告人:Denis Flandre教授 法语鲁汶大学(UCL)电子工程

主持人:廖蕾

报告时间:2017年7月5日 下午3:00

报告地点:物电院理工综合楼A栋225会议室

报告摘要:

一、从高端SOI MOSFET到模拟/射频电路;

报告首先阐述SOI技术和器件的广泛类型及特性,然后将主要讲述目前阶段高端、先进的MOSFET及其器件特性在模拟/射频电路应用中的至关重要性,并从理论与实验两方面进行器件性能的讨论、评估与比较;最后将列举高端MOSFET器件在模拟和射频放大器中的应用。

二、电容式细菌检测器:从生物探测器到像素电路;

此部分将重点讲述一种基于CMOS集成工艺和Al/Al2O3交叉电极,快速、高选择性与高灵敏度的电容式生物传感器。这种生物传感器能够实现在各种生物缓冲剂中病原菌的探测,以及探测器在像素电路设计、小型片上实验室(Lab-on-Chip)和即时诊断(Point-of-Care)系统中的应用。

最后,报告将总结高端MOSFET和传感器在芯片集成,例如CMOS/MEMS综合集成,及超低功耗mm3微机系统,如无线免电源视压检测器等领域中的未来实现与趋势展望。

个人简介:

Denis Flandre教授于1986年、1990年在法语鲁汶大学分别获得电子工程学士学位、应用科学博士学位。1991-1993年任职鲁汶大学微电子实验室高级研究员,1993-2001年任职比利时科研中心高级研究员、副教授。从2001年至今,在鲁汶大学任全职教授。

Flandre教授是欧洲电子科研领域的著名学者,是比利时WERNAERS创新科研奖、比利时Roger Van Geen科学奖,以及西门子-比利时科研中心Siemens-FNRS科学奖等的获得者。同时,他是欧洲著名纳米电子器件协会SINANO的创始人之一和理事会理事,是半导体公司CISSOID的创始人之一。他也是IEEE高级成员。Flandre教授的学术著作引用超过8800次,H指数达45,拥有12项科研专利。目前研究领域主要包括SOI MOS器件的研究与设计、数字与模拟电路、MEMS和传感器等,及其在高速、低压、低功耗、微波、生物医学、抗辐射加固、高温电子器件和微系统领域的应用。