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何颂贤报告:半导体纳米结构的设计及其在下一代电子器件、传感器和节能领域的应用

报告人:何颂贤博士  香港城市大学

报告时间:2017年6月30日下午3:30

报告地点:理工楼225会议室

联系人:廖蕾

报告摘要:在本讲座中,我将总结和讨论我们课题组的最新研究进展,着重讨论多种纳米结构材料在不同技术应用中的发展。在过去十年中,由于其有趣的物理特性,一维(1D)半导体纳米线,特别是III-Sb材料,已经成为下一代电子、光电子器件和光伏等领域的基础组成部分。我们在化学气相沉积中使用硫表面活性剂以获得直径低至20nm的非常细且均匀的GaSb纳米线。当制备成晶体管时,这些器件表现出非常好的电学性能,约200 cm2V-1s-1的峰值空穴迁移率优于迄今为止报导的所有GaSb纳米线器件的迁移率值。上述事实表明这种表面活性剂辅助生长对于高性能小直径的GaSb纳米线的有效性。

此外,我们开发了一种非常简单的制备氧气析出反应(OER)催化剂的方法,在碱性条件下表现出了极好的活性和优异的OER稳定性。 OER催化剂是混合了镍-铁(Ni-Fe)氧化物或氢氧化物的复合纳米材料,其可以简单的在含Fe3+的水溶液中通过原位反应浸涂镍泡沫而获得。我们还致力于设计和开发由微孔镍泡沫和双金属镍-钼(NiMo)纳米线构成的分级析氢反应(HER)电催化剂,其在较低的超电势下传递的电流密度比得上目前最好的Pt / C催化剂,甚至在较高的超电势下(> 124 mV)具有更大的电流密度。

报告人简历

何颂贤博士分别于2002、2005及2009年在加州大学伯克利分校获得化学工程学士学位、材料科学与工程硕士及博士学位。2009年至2010年期间,在美国加利福尼亚州劳伦斯利弗莫尔国家实验室的纳米级合成和表征组(材料科学部)担任博士后研究员。目前,在香港城市大学物理与材料科学系担任副教授。他的研究兴趣集中在纳米材料的合成、表征、集成和器件应用及其在各种技术领域,包括电子、传感器、光电子和节能领域的应用。